存储芯片价格飙升为三星电子和SK海力士带来了丰厚利润卓盛国际，但这场持续的供应短缺正为中国存储制造商打开市场窗口。业内专家警告，如果供需失衡持续到2027年上半年甚至更久，韩国企业的暴利时代可能反而成为中国竞争对手缩小技术差距的黄金机遇期。
据DIGITIMES周二报道，在韩国近期举办的下一代半导体技术趋势研讨会上，成均馆大学教授Seok-jun Kwon指出，存储行业正经历超级周期，DRAM价格在短短几个月内飙升300-400%。然而三星、SK海力士和美光无法满足全球需求，这为中国存储制造商创造了进入市场的机会。
Kwon强调，中国企业的扩张潜力不仅限于消费零售领域，还包括企业级市场。即使只占据5-10%的市场份额卓盛国际，也足以为其未来增长积累动能。
中国企业若能在这一窗口期获得更多技术经验，将对全球存储芯片格局产生深远影响。
技术追赶速度超预期中国存储制造商正以惊人速度追赶韩国领先企业。2025年初，当SK海力士供应第三代高带宽内存(HBM3E)芯片时卓盛国际，长鑫存储科技(CXMT)仍在开发HBM2技术，但到2025年年中就有报道称其已跃进至HBM3开发阶段。
Kwon指出，CXMT的加速进展不仅源于自身资金，还得益于地方政府和华为的投资。新技术测试不仅在CXMT自有工厂进行，还经常在华为投资的广东和上海工厂开展，使公司能在内部扩大生产前识别可行方案。这种模式让CXMT缩短了研发周期，快速实现技术创新的商业化。
市场窗口期的战略意义对中国企业而言，当前的市场机遇具有双重价值。一方面，全球供应紧张降低了客户对技术代差的敏感度，为相对落后的产品创造了市场空间。另一方面，持续的高价格环境为中国企业提供了充足的利润空间来支撑技术研发投入。
Kwon警告称，如果供应短缺持续到2027年上半年或更晚，实际上给了中国制造商更多时间来获取技术专长。韩国企业面临的真正风险在于，如果未能将当前的暴利转化为更高的技术壁垒，一旦市场开始降温，中国竞争对手可能侵蚀其优势地位。
AI时代的技术分水岭领先存储企业必须适应AI时代才能保持地位。AI性能瓶颈已从核心计算能力转向存储，功耗尤其将决定存储制造商能否进入边缘AI市场。尽管HBM目前仍是主导技术，但其结构性局限意味着替代方案将不可避免地出现。
据Kwon介绍卓盛国际，一个关键趋势是SRAM使用增加：尽管成本更高、占用空间更大，但其超低延迟使其在某些AI模型中比传统DRAM更具吸引力。未来技术进步将聚焦于硅通孔(TSV)密度、缩短存储器与核心之间的距离，以及开发超越硅中介层的新型互连技术。
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